有时用户会乱动设置

 贴片电阻     |      2019-02-21 18:51

  ,对于新手来说,往往会很迷惑:既然是0欧的电阻,那就是导线,为何要装上它呢?还有这样的电阻市场上有卖吗?其实0欧的电阻还是蛮有用的。

  零欧姆电阻又称为跨接电阻器,是一种特殊用途的电阻,0欧姆电阻的并非真正的阻值为零(那是超导体干的事情),正因为有阻值,也就和常规贴片电阻一样有误差精度这个指标。

  在匹配电路参数不确定的时候,以0欧姆代替,实际调试的时候,确定参数,再以具体数值的元件代替。

  想测某部分电路的耗电流的时候,可以去掉0ohm电阻,接上电流表,这样方便测耗电流。

  在高频信号下,充当电感电容。(与外部电路特性有关)电感用,主要是解决EMC问题。如地与地,电源和ICPin间

  单点接地(指保护接地、工作接地、直流接地在设备上相互分开,各自成为独立系统。)

  只要是地,最终都要接到一起,然后入大地。如果不接在一起就是浮地,存在压差,容易积累电荷,造成静电。地是参考0电位,所有电压都是参考地得出的,地的标准要一致,故各种地应短接在一起。人们认为大地能够吸收所有电荷,始终维持稳定,是最终的地参考点。虽然有些板子没有接大地,但发电厂是接大地的,板子上的电源最终还是会返回发电厂入地。如果把模拟地和数字地大面积直接相连,会导致互相干扰。不短接又不妥,理由如上有四种方法解决此问题:

  磁珠的等效电路相当于带阻限波器,只对某个频点的噪声有显著抑制作用,使用时需要预先估计噪点频率,以便选用适当型号。对于频率不确定或无法预知的情况,磁珠不合。

  0欧电阻相当于很窄的电流通路,能够有效地限制环路电流,使噪声得到抑制。电阻在所有频带上都有衰减作用(0欧电阻也有阻抗),这点比磁珠强。

  以下两个图是一个电路,只是由于元件的标号不一样。R7(R33)就是模拟地和数字地的单点链接端。

  当分割电地平面后,造成信号最短回流路径断裂,此时,信号回路不得不绕道,形成很大的环路面积,电场和磁场的影响就变强了,容易干扰/被干扰。在分割区上跨接0欧电阻,可以提供较短的回流路径,减小干扰。

  一般,产品上不要出现跳线和拨码开关。有时用户会乱动设置,易引起误会,为了减少维护费用,应用0欧电阻代替跳线等焊在板子上。

  布线时跨线; 调试/测试用; 临时取代其他贴片器件; 作为温度补偿器件;

  更多时候是出于EMC对策的需要。另外,0欧姆电阻比过孔的寄生电感小,而且过孔还会影响地平面(因为要挖孔)。

  还有就是不同尺寸0欧电阻允许通过电流不同,一般0603的1A,0805的2A,所以不同电流会选用不同尺寸的还有就是为磁珠、电感等预留位置时,得根据磁珠、电感的大小还做封装,所以0603、0805等不同尺寸的都有了。

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  AD8334 内置超低噪声前置放大器和可编程输入电阻(RIN)的四通道VGA

  和特点 超低噪声(前置放大器 ) 电压噪声 = 0.74 nV/√Hz电流噪声 = 2.5 pA/√Hz 3 dB带宽: 100 MHz 低功耗: 每通道145 mW 带宽: 100 MHz (-3 dB) 可编程后置放大器提供宽增益范围LO增益模式:−4.5 dB至+43.5 dBHI增益模式:7.5 dB至55.5 dB 折合到输入端的噪声低:48 nV/√Hz(典型值) 有源输入阻抗匹配 针对10位/12位ADC优化 可选输出钳位电平 AD8334提供引脚架构芯片级封装 产品详情 AD8334是一款超低噪声、四通道线性dB可变增益放大器(VGA),针对超声系统应用进行了优化,但也可用作任何工作频率小于100 MHz应用中的低噪声可变增益控制元件。各通道内置一个超低噪声前置放大器(LNA)、一个48 dB增益范围的X-AMP® VGA以及一个具有可调输出限制功能的可选增益后置放大器。LNA增益为19 dB,具有单端输入和差分输出。LNA输入阻抗可以利用一个电阻来调节,以便与信号源相匹配,且不影响噪声性能。VGA的48 dB增益范围使这些器件适合各种不同的应用。带宽在整个增益范围内可保持出色的一致性。对于40 mV至1 V范围内的控制电压,增益控制接口可提供精确的50 dB/V线性dB调整。通过工厂调整可确...

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  ADG1613 1 Ω典型导通电阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3 V四路SPST开关

  和特点 1 Ω典型导通电阻0.2 Ω导通电阻平坦度±3.3 V至±8 V双电源供电3.3 V至16 V单电源供电无需VL电源3 V逻辑兼容输入轨到轨工作每个通道的连续电流LFCSP封装:280 mATSSOP封装:175 mA16引脚TSSOP和16引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装 产品详情 ADG1611/ADG1612/ADG1613内置四个独立的单极/单掷(SPST)开关。二者的唯一不同之处就是数字控制逻辑相反。ADG1611开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0,而ADG1612开关则要求逻辑1。ADG1613有两个开关的数字控制逻辑与ADG1611相似,但其它两个开关的控制逻辑则相反。当接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下,等于电源电压的信号电平被阻止。ADG1613具有先开后合式开关动作,适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性,当开关数字输入时,可实现最小的瞬变。这些开关具有超低导通电阻特性,对于低导通电阻、低失真性能至关重要的数据采集和增益开关应用堪称理想解决方案。导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦,可确保开关音频信号时拥有出色的线性度和低失真性能。CMOS结构确保功耗极低,因而这...

  ADG1611 1 Ω典型导通电阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3 V四路SPST开关

  和特点 1 Ω典型导通电阻0.2 Ω导通电阻平坦度±3.3 V至±8 V双电源供电3.3 V至16 V单电源供电无需VL电源3 V逻辑兼容输入轨到轨工作每个通道的连续电流LFCSP封装:280 mATSSOP封装:175 mA16引脚TSSOP和16引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装 产品详情 ADG1611/ADG1612/ADG1613内置四个独立的单极/单掷(SPST)开关。二者的唯一不同之处就是数字控制逻辑相反。ADG1611开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0,而ADG1612开关则要求逻辑1。ADG1613有两个开关的数字控制逻辑与ADG1611相似,但其它两个开关的控制逻辑则相反。当接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下,等于电源电压的信号电平被阻止。ADG1613具有先开后合式开关动作,适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性,当开关数字输入时,可实现最小的瞬变。这些开关具有超低导通电阻特性,对于低导通电阻、低失真性能至关重要的数据采集和增益开关应用堪称理想解决方案。导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦,可确保开关音频信号时拥有出色的线性度和低失真性能。CMOS结构确保功耗极低,因而这...

  ADG1612 1 Ω典型导通电阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3 V四路SPST开关

  和特点 1 Ω典型导通电阻0.2 Ω导通电阻平坦度±3.3 V至±8 V双电源供电3.3 V至16 V单电源供电无需VL电源3 V逻辑兼容输入轨到轨工作每个通道的连续电流LFCSP封装:280 mATSSOP封装:175 mA 16引脚TSSOP和16引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装 产品详情 ADG1611/ADG1612/ADG1613内置四个独立的单极/单掷(SPST)开关。二者的唯一不同之处就是数字控制逻辑相反。ADG1611开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0,而ADG1612开关则要求逻辑1。ADG1613有两个开关的数字控制逻辑与ADG1611相似,但其它两个开关的控制逻辑则相反。当接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下,等于电源电压的信号电平被阻止。ADG1613具有先开后合式开关动作,适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性,当开关数字输入时,可实现最小的瞬变。这些开关具有超低导通电阻特性,对于低导通电阻、低失真性能至关重要的数据采集和增益开关应用堪称理想解决方案。导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦,可确保开关音频信号时拥有出色的线性度和低失真性能。CMOS结构确保功耗极低,因而这...

  ADG1434 4 Ω导通电阻、±15 V/+12 V/±5 V、iCMOS™、四通道单刀双掷开关

  和特点 导通电阻:4.7 Ω(最大值,25°C) 导通电阻平坦度:0.5 Ω 额定电源电压:±15 V/+12 V/±5 V 3 V逻辑兼容输入 每个通道的连续电流最高达115 mA 轨到轨工作 先开后合式开关动作 16/20引脚TSSOP和4 mm × 4 mm LFCSP_VQ封装 产品详情 ADG1433/ADG1434均为单芯片工业CMOS (iCMOS) 模拟开关,分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。所有通道均采用先开后合式开关,防止开关通道时发生瞬时短路。ADG1433(LFCSP和TSSOP封装)和ADG1434(仅LFCSP封装)提供EN输入,用来使能或禁用器件。禁用时,所有通道均关断。 iCMOS是一种模块式制造工艺,集高电压CMOS(互补金属氧化物半导体)与双极性技术于一体。利用这种工艺,可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC,并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同,iCMOS器件不但可以承受高电源电压,同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。这些开关具有超低导通电阻和导通电阻平坦度,对于低失真性能至关重要的数据采集和增益切换应用堪称理想解决方案。iCMOS结构可确保功耗极低,因...

  ADG1433 4 Ω导通电阻、±15 V/+12 V/±5 V、iCMOS™、三通道单刀双掷开关

  和特点 导通电阻:4.7 Ω(最大值,25°C) 导通电阻平坦度:0.5 Ω 额定电源电压:±15 V/+12 V/±5 V 3 V逻辑兼容输入 每个通道的连续电流最高达115 mA 轨到轨工作 先开后合式开关动作 16/20引脚TSSOP和4 mm × 4 mm LFCSP_VQ封装产品详情 ADG1433/ADG1434均为单芯片工业CMOS(iCMOS) 模拟开关,分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。所有通道均采用先开后合式开关,防止开关通道时发生瞬时短路。ADG1433(LFCSP和TSSOP封装)和ADG1434(仅LFCSP封装)提供EN输入,用来使能或禁用器件。禁用时,所有通道均关断。iCMOS是一种模块式制造工艺,集高电压CMOS(互补金属氧化物半导体)与双极性技术于一体。利用这种工艺,可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC,并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同,iCMOS器件不但可以承受高电源电压,同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。这些开关具有超低导通电阻和导通电阻平坦度,对于低失真性能至关重要的数据采集和增益切换应用堪称理想解决方案。 iCMOS结构可确保功耗极低,因而...

  ADG1404 1.8 Ω最大导通电阻、±15 V/12 V/±5 V、4:1、iCMOS 多路复用器

  和特点 导通电阻:1.5 Ω 导通电阻平坦度:0.3 Ω 通道间导通电阻匹配:0.1 Ω 连续电流最高达400 mA 额定电源电压:+12 V、±15 V和±5V 无需VL 电源 3 V 逻辑兼容输入 轨到轨工作 14引脚TSSOP和16引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装产品详情 ADG1404是一款互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器,内置四个采用iCMOS™工艺设计的单通道。iCMOS(工业CMOS)是一种模块式制造工艺,集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺,可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC,并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同,iCMOS 器件不但可以承受高电源电压,同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦,可确保切换音频信号时拥有出色的线性度和低失真性能。iCMOS结构可确保功耗极低,因而这些器件非常适合便携式电池供电仪表。ADG1404根据3位二进制地址线和EN所确定的地址,将四路输入之一切换至公共输出D。当EN引脚为逻辑0时,该器件将被禁用。接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电...

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