英飞凌汽车电子开发者大会2018盛大召开

 贴片电阻     |      2019-03-22 17:33

  英飞凌推出具全球最低通态电阻、采用SSO8无铅封装的全新OptiMOS 3系列

  2008年5月23日,英飞凌科技公司(FSE/NYSE:IFX)在中国国际电源展览会上宣布推出采用SuperSO8和S308 (Shrink SuperSO8)封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET,在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。SuperSO8封装与标准TO(晶体管外形)封装相比,可使功率密度增大50%,特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言。举例来说,这种采用SuperSO8封装的器件可以只用20%的占位空间提供与D-Pak封装相同的通态电阻。

  “该无铅结构封装具备较低的封装寄生电阻和电感,最大程度降低了对整个器件性能的影响,便于充分利用OptiMOS 3硅技术功能。”管理与驱动产品事业部负责人Gerhard Wolf指出。

  全新OptiMOS 3系列可提供出类拔萃的通态电阻,OptiMOS 3 40V系列采用SuperSO8封装具备最低1.8 m的通态电阻,OptiMOS 3 60V采用SuperSO8封装具备最低2.8 m的通态电阻,OptiMOS 3 80V采用SuperSO8封装具备最低4.7 m的通态电阻,与最接近的竞争性产品相比,通态电阻降幅高达50%,为业界树立了新标杆。这些器件的FOM(品质系数,以通态电阻乘以栅极电荷得出)与采用标准TO封装的同类产品相比高出25%,能够更快速实现开关,同时最大程度降低开关损耗和栅极驱动损耗,提高功率密度,降低驱动器散热量。SuperSO8封装寄生电感不到0.5nH,比TO-220封装的5-10nH电感低很多,这进一步提升了器件整体效率,最大程度上减少在开关条件下的振荡现象。SuperSO8封装高度为1mm,Rth-jt (结至顶端的热阻)低于16K/W,适用于嵌入式系统顶部冷却解决方案或立式安装在3D集成系统里的PCB模块。

  “作为全球功率半导体领域的技术领袖,英飞凌引领超小封装潮流,使通态电阻降低高达50%。”英飞凌电源管理与驱动产品事业部负责人Gerhard Wolf指出,“我们利用在功率半导体制造和封装方面的领先技术,使功率半导体具备一流的效率和开关特性、更高的功率密度以及出色的性价比,从而大大降低系统成本。”

  OptiMOS 3 40V、60V和80V产品适用于需要高效率和功率密度的功率转换和管理应用,包括众多产品的SMPS(开关模式电源)、DC/DC

  和直流电机驱动器等。这些产品包括计算机、家用电器、小型电动车、工业自动化系统、电信设备和电动工具、电动剪草机和风扇等消费类电子设备。

  采用SuperSO8封装的OptiMOS 3可满足多种应用中的快速开关SMPS和DC/DC

  ,对于这些应用而言,空间、功率密度和最大效率都是关键要素。该系列具备至PCB的1K/W热阻、顶部和双侧冷却功能以及100A持续电流额定值,新的OptiMOS 3 MOSFET系列为40V至80V低电阻MOSFET树立了新标杆。该系列还包括业界首款采用S3O8封装的60V和80V击穿电压MOSFET,其占位空间与标准SO8或SuperSO8器件相比减少60%。

  60V和80V SuperSO8器件与采用TO封装的解决方案相比可使服务器SMPS的效率提高0.5%,或与标准解决方案相比,在通态电阻额定值提高20%的条件下,可获得相同的效率。

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