本文档的主要内容详细介绍的是常用的运算放大

 电容器新闻     |      2019-07-15 18:36

  管所组成的。比较器的功能就是实现逻辑运算以及电平比较,比较完之后输出一个结果,而比较输出的结果既可以是一个数字量也可以用模拟量代替。比较器的就是用一个三角来表示,箭头所指的方向为比较输出端,它有两个输入端,一个正端一个负端。

  2、详细讲解单项交流异步马达工作原理,如何产生旋转的正圆气隙磁场,鼠笼式马达概念。详细讲解如何实现相位移动,交流电的电压相位与电流相位的关系,并用图形表示。

  3、详细讲解利用电容降压来实现AC-DC电压转换并画出电容的向电压电流波形,以及各参数的设计和计算公式。为什么说电容AC-DC电路等效成恒流源,详细分析了稳压管的技术资料。

  5、详细讲解了比较器的特性和几个关键的参数,这将有利于对比较器的理解及电路设计。

  7、详细讲解了马达的驱动电路,教会大家如何利用真值表来设计马达的正反转和停转。

  8、详细讲解了如何用光电传感器和比较器来设计复杂的逻辑电路,以及时序电路。

  1、如果你还是学生,正厌倦于枯燥的课堂理论课程,想得到电子技术研发的实战经验;

  2、如果你即将毕业或已经毕业,想积累一些设计研发经验凭此在激烈竞争的就业大军中脱颖而出,找到一份属于自己理想的高薪工作;

  4、如果你厌倦于当前所从事的工作,想快速成为一名电子研发工程师从事令人羡慕的研发类工作。

  程介绍:《晶体管电路设计与仿真》视频教程一、学习课程的准备工作及必备工具工欲善其事必先利其器1、一本《晶体管电路设计(上

  本电路回收W317可调稳压集成电路构成电路的焦点,用两块W317并联事变从而使输出电源可到达4A阁下....

  大家好,你曾经在一系列微控制器相同的制造代码(同年、一周和一系列)上遇到过问题吗?我有一个基于PIC16F1823-E/P的产品...

  集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路....

  对于电气技术人员来说,控制系统软件的设计就是用梯形图编写控制程序,用户程序的设计是PLC应用中最关键....

  把两个与非门G1、G2的输入、输出端交叉连接,即可构成基本RS触发器,其逻辑电路如图7.2.1.(a....

  PLC编程语言并根据控制要求编制的用户程序,数据存储区是用来存放输人输出信息间运算结果及运行参数等。....

  本文档的主要内容详细介绍的是TTL电平与COMS电平的常识性概念详细资料说明。TTL 集成电路的主要....

  放大电路中有供电电源,有共同接地,当说话人说话声会通过话筒也就是麦克风产生微弱的电信号,电信号经过放....

  对于晶体管放大电路,我们应首先了解该电路的特点和基本的工作流程。结合具体电路熟悉各电路的结构组成。然....

  THS3091和THS3095是高电压、低失真、高速、电流反馈放大器,设计用于在宽的t5-v to....

  说明 ITR9606-F由一个红外发射二极管和一个硅光电晶体管组成,并排封装在一个黑色热塑性外壳中....

  说明 ITR9608-F由一个红外发射二极管和一个NPN硅光电晶体管组成,并排封装在一个黑色热塑性外....

  1 引言 在A/D转换器中,比较器重要性能指标是工作速度、精度、功耗、输入失调电压、正反馈时产生的回程噪声等...

  大家好,我最近在写无刷的驱动。使用三段式去启动无刷电机。因为我只是初步试验,方法比较简单。一开始先将转子定位,然后强制换...

  表头的准确度等级为1级(即表头自身的灵敏度误差为±1%),水平放置,整流式仪表,绝缘强度试验电压为5....

  嗨,我想用S6设计MIPI DSI接口,谁知道如何设计一个分立逻辑电路,这可以在S6 LVDS和MIPI DLVS之间的不同I...

  输入信号4MHz,我想得到输出幅度100V,4M的信号,想用运放+晶体管搭建或者MOS管,不知道可行不,急。 拜谢!!(之前本打算...

  IEC(国际电工委员会)于1994年5月公布了PLC标准(IEC1131)。它有五个部分组成:通用信....

  电脉冲的产生不是由振荡电路产生,而应该是由MCU的PWM功能产生,通过设置PWM模块的寄储器,让MC....

  按照电路特性分类介绍了用Pspice分析电路的基本方法。一般来说,虚拟实验用的就是这些方法。有些电路....

  电压比较器是对输入信号进行鉴幅与比较的电路,其功能是比较一个模拟信号和另一个模拟信号(参考信号),并以输出比较得到的二进制...

  业内最受欢迎的适用于AEC-Q101高温应用的BAS16 / 21二极管和BC807 / 817晶体....

  1. 贴片晶体管应用贴片晶体管的基本特点是:具有放大、饱和与截止三种工作状态,且通过变换集电极、发射....

  继电器是一种电子控制器件,它具有控制系统(又称输入回路)和被控制系统(又称输出回路),通常应用于自动....

  DN321双微功耗比较器具有集成的400mV基准,简化了监视和控制功能...

  场效应管是场效应晶体管的简称,具有输入电阻高、噪声小、功耗低、安全工作区域宽、受温度影响小等优点,特....

  本文档的主要内容详细介绍的是常用的运算放大器电路图文详解合集包括了:1、InverterAmp.反相....

  ■ 恩智浦半导体 K. Werner,S. Theeuwen,J. de Boet,V. Bloem,W. Sneijers 高压LDMOS是高达3.8GHz的国防...

  开关型功率放大器(Switching Mode PA,SMPA),使电子器件工作于开关状态,常见的有....

  功率放大器主要是放大电流,这样才能推动低阻的扬声器发出声音。当然,这个例子是按音频实例讲的,若是射频....

  三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是....

  此标准固态显示器具有7.4毫米(0.29英寸)点阵字符和板载IC,带有数据存储器锁存器/解码器和LED驱动器,采用玻璃/陶瓷包。 HDSP-0983显示器采用环氧玻璃 - 陶瓷密封。该超量程设备显示“/ -1”和右手小数点,通常通过外部开关晶体管驱动。 特点 4 x 7点阵字符超出范围/ - 1 在整个温度范围内保证性能存储器锁存器/解码器/驱动器 TTL兼容用于发光的分类强度

  此标准固态显示器具有7.4毫米(0.29英寸)点阵字符和板载IC,带有数据存储器锁存器/解码器和LED驱动器,采用玻璃/陶瓷包。密封的HDSP-0783显示器采用焊接玻璃料密封。该超量程设备显示“/ -1”和右手小数点,通常通过外部开关晶体管驱动。 特点 4 x 7点阵字符超出范围/ - 1 温度保证性能存储器锁存器/解码器/驱动器 TTL兼容分类发光强度

  此标准固态显示器具有7.4毫米(0.29英寸)点阵字符和板载IC,带有数据存储器锁存器/解码器和LED驱动器,采用玻璃/陶瓷包。密封的HDSP-0883显示器采用焊接玻璃料密封。该超量程设备显示“/ -1”和右手小数点,通常通过外部开关晶体管驱动。 特点 4 x 7点阵字符超出范围/ - 1 温度保证性能存储器锁存器/解码器/驱动器 TTL兼容分类发光强度

  1、引言 随着科技的进步,半导体制造技术日新月异。微波晶体管的输出功率能力在个个频段都得到不断提高,在甚高频频段已有单管输...

  硬件描述语言基本语法和实践 (1)VHDL 和Verilog HDL的各自特点和应用范围 (2)....

  本书以PC486为主要背景,对32位微型计算机的系统结构、指令系统、汇编语言、存储器、中断与中断控制....

  本文档的主要内容详细介绍的是IGBT驱动模块的设计资料免费下载。如图 1 所示,驱动模块由三个部分组....

  就在不久前,市场上的绝大多数IC从本质上说,不是纯数字电路就是纯模拟电路。而如今,为了满足成本、尺寸、重量和功耗等方面的...

  功率放大器设计的好坏直接影响着整个系统的性能。按照其工作状态一般可以分为A、B、C类,以及类似于开关....

  集成电路板是集成电路的载体,集成电路(integrated circuit,港台称之为积体电路)是一....

  BQ24745是一款高效的同步电池充电器,带有集成输入电流比较器,为空间受限的多化学电池充电应用提供....

  BC8XX系列SOT23中的45V NPN小信号晶体管三极管的数据手册免费下载

  本文档的主要内容详细介绍的是BC817和BC816及BC825与BC840 SOT23中的45V N....

  本文档的主要内容详细介绍的是比较器LM393的常用12种应用电路分享。

  面对一个给定的晶体管电路,学会判断晶体管工作状态,并准确求解其静态,包括各极的静态电流、静态电压,是....

  FPGA采用了逻辑单元阵列LCA(Logic Cell Array)这样一个概念,内部包括可配置逻辑....

  本章目的了解高可靠性嵌入式系统的性能需求了解获取可靠性的基本方法了解可靠性指标的分析、分配方法了....

  本书系统介绍了电力电子领域广泛应用的各类功率半导体器件。由浅入深地介绍了器件的基本结构、物 理机理、....

  555 的8 脚是集成电路工作电压输入端,电压为5~18V,以UCC 表示;从分压器上看出,上比较器....

  本文档的主要内容详细介绍的是包含运算放大器的RC电路分析和电压比较器及振荡器的详细资料说明。

  mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管....

  一 实验目的 掌握Mealy型时序电路设计方法。验证所设计电路的逻辑功能。体会状态分配对电路复杂性的....

  在米粒大的硅片上,已能集成16万个晶体管,由于硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一,对太阳能电池这样注....

  对于PNP型三极管,C、E极分别为其内部两个PN结的正极,B极为它们共同的负极,而对于NPN型三极管....

  明确需用的额定电压,或是电子元件能够承载的最高电压。额定电压越大,电子元件的成本就越高。按照实践证明....

  接通电源时,由于电容C3两端电压为零,场效应管VT处于截止状态,继电器KA释放,延时开始。同时电源E....

  MOS管是电压控制器件,具有输入阻抗高、噪声低的优点,被广泛应用在电子电路中,特别是具有上述要求前....

  半导体的支持工艺和CPU的性能关系就大了,它关系到CPU内能塞进多少个晶体管,还有CPU所能达到的频....

  优点是不同公共点之间可带不同的交、直流负载,且电压也可不同,带负载电流可达2A/点;但继电器输出方式....

  此HEXFET功率MOSFET专门设计用于维持能量恢复和通过开关应用在等离子显示面板中。此MOSFE....

  这几年,虽然摩尔定律基本失效或者说越来越迟缓,但是在半导体工艺上,几大巨头却是杀得兴起。Intel终....

  在1965年,英特尔的联合创始人戈登·摩尔(Gordon Moore)观察到微芯片上每平方英寸的晶体....

  今天(6月15日),总投资投资额为140亿卢比(约合人民币13.9亿元)的合力泰印度工厂举行投产庆典....

  信息 BUB323Z是一款平面,单片,高压双极功率达林顿晶体管,内置有源齐纳二极管钳位电路。该器件专为未钳位,电感应用而设计,如电子点火,开关调节器和电机控制。 集成高压有源钳位 紧密钳位电压窗口(350 V至450 V) )保证在-40°C至+ 125°C温度范围内 在实时点火电路中100%测试夹紧能量能力 指定的高直流电流增益/低饱和电压全温度范围 设计保证始终在SOA中运行 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  信息 BU323Z是一款平面,单片,高压功率达林顿,内置有源齐纳钳位电路。该器件专为非钳位电感应用而设计,如电子点火,开关稳压器和电机控制。 集成高压有源钳位 紧钳位电压窗口(350 V至450 V) )保证在-40°C至+ 125°C温度范围内 在实时点火电路中100%测试夹紧能量能力 在全温度下指定的高直流电流增益/低饱和电压范围 设计保证始终在SOA中运行 提供塑料SOT-93 / TO-218型或TO-220封装 这些设备可用无铅封装。此处的规格适用于标准和无铅器件。有关具体的无铅可订购部件号,请访问我们的网站,或联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表。...

  信息该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗,同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 BSS138特别适合低压、低电流应用(如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器)以及其他开关应用中。 0.22 A, 50 V. R = 3.5 Ω @ V = 10 V. R = 6.0 Ω @ V = 4.5 V 高密度单元设计可实现极低的 R。 坚固而可靠。 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。...

  信息该 N 沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度 DMOS 技术生产。 这款产品专为最大限度地降低通态电阻并提供耐用、可靠的快速开关性能而设计。 BSS123 特别适合于小型伺服电动机控制、功率MOSFET栅极驱动器等低电压、低电流应用,以及其他开关应用。0.17 A, 100 V, R = 6 Ω @ V = 10 V0.17 A, 100 V, R = 10 Ω @ V = 4.5 V高密度单元设计可实现极低的 R坚固而可靠紧凑的工业标准 SOT-23 表面贴装封装...

  信息此NPN双极达林顿晶体管设计用于开关应用,如打印锤,继电器,电磁阀和灯驱动器。该器件采用SOT-223封装,专为中等功率表面贴装应用而设计。 SOT-223封装可使用波峰焊或回流焊进行焊接。形成的引线吸收焊接过程中的热应力,消除模具损坏的可能性 12 mm卷带和卷盘使用BSP52T1订购7英寸/ 1000单元卷轴使用BSP52T3订购13英寸/ 4000单位卷轴 PNP补充是BSP62T1 无铅封装可用 用于汽车和其他应用的S和NSV前缀需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图...

  信息BSP50 该器件设计用于在集电极电流达 500 mA 的情况下需要极高电流增益的应用。 采用工艺03设计。

  信息4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。 一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。 该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。高电压:MOC8204M, BV= 400 VH11D1M, BV= 300 VH11D3M, BV= 200 V安全和法规认证:UL1577,4170 VAC(1 分钟)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)

  信息通用光电耦合器包含一个砷化镓红外发光二极管,用于驱动硅光敏晶体管,采用标准塑料六引脚双列封装。IF = 10 mA、VCE = 10 V 时的最小电流传输比: 4N27M 和 4N28M 为 10% 4N25M 和 4N26M 为 20% 4N35M、4N36M 和 4N37M 为 100%安全和法规认证: UL1577、4,170 VACRMS(1 分钟) DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。IF = 10 mA、VCE = 10 V 时的最小电流传输比: 4N27M 和 4N28M 为 10% 4N25M 和 4N26M 为 20% 4N35M、4N36M 和 4N37M 为 100%安全和法规认证: UL1577、4,170 VACRMS(1 分钟) DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。AC-DC商用电源消费型设备工业级电机

  55GN01MA RF晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单MCP

  信息 55GN01MA是射频晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单MCP用于UHF宽带低噪声放大器应用。 高截止频率:fT = 5.5GHz典型 高增益:正向传输增益= 10dB典型值(f = 1GHz)

  55GN01FA RF晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单SSFP

  信息 55GN01FA是射频晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单SSFP,用于UHF宽带低噪声放大器应用。 高截止频率:fT = 5.5GHz(典型值) 高增益。前向传输增益= 19dB(典型值)[f = 400MHz] 超小型封装允许应用集小 无卤素合规。

  50A02CH 双极晶体管,-50V,-0.5A,低VCE(sat),PNP单

  信息 50A02CH是双极晶体管,-50V,-0.5A,低VCE(sat),PNP单用于低频通用放大器应用。 高集电极电流能力 低集电极至发射极饱和电压(电阻): RCE(sat)typ =210mΩ[IC = 0.5A,IB = 50mA] 低导通电阻(Ron) 无铅,无卤素且符合RoHS标准